Samsung abre una nueva fábrica de memoria flash
15 jun 07 | 14:19 CET
El nuevo complejo, emplazado en Texas (Estados Unidos) y que ha supuesto una inversión total de 3.500 millones de dólares, estará operativo en el segundo semestre del actual ejercicio fiscal.
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Samsung Electronics ha anunciado la apertura de una nueva fábrica de obleas de memoria flash de 300 mm NAND en Austin, ciudad situada en el Estado de Texas (Estados Unidos).
Según ha informado la compañÃa en un comunicado, el nuevo complejo mide cerca de 148.640 metros cuadrados con lo que es uno de las más grandes emplazados en esa zona.
Además, el grupo, que ha invertido cerca de 3.500 millones de dólares, prevé que la planta esté operativa en la segunda mitad del año 2007 y que alcance una producción de 60.000 obleas de memoria al mes en el año 2008.
AsÃ, esta inversión supera a la realizada en Texas en 1996, en la que Samsung creó una planta para fabricación de chips de memoria por un total de 1.400 millones de dólares.
La planta fabricará chips de memoria flash NAND, un producto que tiene un amplio campo de uso para multitud de consumidores, a través de reproductores MP3, teléfonos móviles, cámaras digitales y otros dispositivos móviles.
Concretamente, el primer producto de la nueva fábrica será el chip 16Gb NAND flash que utiliza una tecnologÃa con 50 nanómetros de nivel de proceso.
La nueva fábrica de alta tecnologÃa, que comenzó a construirse en abril de 2006, se unirá a la planta de fabricación de obleas de 200 milÃmetros que ya existe en Austin, terminada en 1997 y que seguirá siendo utilizada para fabricar DRAM.
Por otro lado, la nueva fábrica será la primera de la zona en crear semiconductores en obleas de 300 milÃmetros de 12 pulgadas. Estas obleas son 2,25 veces más larga que la de 200 milÃmetros que posee 8 pulgadas, que ahora será utilizada en la primera fábrica. La nueva oblea puede contener cerca de 1.200 estándares y 256 chips de memoria, en comparación con los cerca de 500 chips de una oblea de 8 pulgadas.
